전공 · SK하이닉스 / 공정기술

Q. TSV 기술 문의

취뽀가즈앙22

TSV가 DRAM에 구멍을 뚫어서 구리로 채우는 공정이라는 건 알겠는데요, 1) 적층 전에 구멍을 뚫나요?? 2) 기존에 생산하던 DRAM 자체에 구멍을 뚫게 되면 안에 배선이라던가 소자도 같이 뚫려서 제기능을 것 같은데, 그럼 HBM에 들어가는 DRAM은 기존에 생산하던 DRAM과는 다르게 설계를 해서 생산하게 되는건가요?


2025.11.23

답변 3

  • 분홍케어베어인텔코리아
    코차장 ∙ 채택률 67%

    채택된 답변

    안녕하세요, 하이닉스 재직 및 삼성전자 합격 경험이 있는 멘토 입니다 먼저 구멍을뚫지 않는다면 웨이퍼를 모두 적층 하고 구멍을 뚫는 게 아니냐는 말씀이신가요? 웨이퍼를 적정 하고 구멍을뚫을 수는 없을 텐데요. 웨이퍼 상태에서 tsv 공정을 진행 하게 됩니다. 말씀하신 대로 HBM 과 디램의 셀 세부 구조는 다릅니다. 구멍을 말씀하신 대로 아무데나 들을 순 없고 HBM을 위해 설계 하고 거기에 맞는 위치에 구멍을 뚫어야합니다.

    2025.11.15


  • 하닉이궁금증해소SK하이닉스
    코이사 ∙ 채택률 56%
    회사
    일치

    1. 네 2. 네 맞습니다 설계가 달라요 HBM 설계팀이 따로있습니다

    2025.11.23


  • 공장 노동자SK하이닉스
    코이사 ∙ 채택률 70%
    회사
    일치

    안녕햐세요. 1) fab에서부터 tsv 영역은 따로 만들게 됩니다. 2) 네 다른 제품이고 설계도 다릅니다.

    2025.11.20


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